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芯东西(ID:aichip001)编|韦世玮芯东西4月8日消息,据路透社报道,美国半导体行业组织正在反对美国出口管制的拟议变更。据了解,今年三月底,美国政府高级官员同意通过修改“外国直接产品规则”,以限制使用美国芯片制造设备和技术的外国公司向华为销售产品,进一步打击华为的全球芯片供应链。消息一出,美
近年来,中国已成为带动全球半导体市场增长的主要动力,随着5G商用牌照落地并在2019年11月份正式使用,会大大推动半导体芯片产业的发展。失效分析对于提高半导体产品质量,技术开发、改进,产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。针对半导体器件局部失效分析,可以借助XPS成像技术及微区分析进行表征
集微网消息(文/木棉、茅茅、Oliver、Aki),近年来,在国家诸多举措的推动下,中国的半导体产业迎来了迅猛的发展。而对于晶圆制造和设备而言,两者又是不可分割的整体,若想要推动中国半导体供应链的发展和产业的进步,两者缺一不可。那么在中国晶圆制造产业大发展的背景下,中国半导体设备产业在全球的位置如何
硅材料依然为主流半导体材料,硅片在晶圆制造材料中占比最大。半导体产品被广泛应用于各类电子产品中,其重要性不言而喻。而半导体材料作为制造基础,至今已发展到第三代。但由于制备工艺、后续加工及原料来源等因素影响,硅材料依然是主流半导体材料。2018年全球半导体材料销售额达到519亿美元,其中晶圆制造材料
投资界(微信ID:pedaily2012)3月27日消息,近日,毅达资本领投电源管理芯片设计与封测商——安徽省东科半导体有限公司(以下简称:东科半导体)。此次融资将主要用于氮化镓芯片量产、同步整流芯片品质提升及扩产,进一步巩固东科半导体芯片设计及封装测试能力。东科半导体创立于2009年10月,主要从
集微网消息(文/小如)3月18日,2020年青岛国际经济合作区“高端装备+新一代信息技术”重点项目云签约仪式举行。此次云签约的10个项目,总投资51.5亿元,主要产业方向为新一代信息技术及高端装备产业。会上,美国安润集团投资的国际半导体产业园项目正式落户青岛市。据青岛西海岸新闻网报道,国际半导体产业
向来在全球获取高额利润的半导体产业也受到了新冠疫情全球蔓延的波及,尤其是半导体消费端的波动,比如手机、电视等电子产品的销量下滑,负面影响正在传导到上游。集邦咨询分析师徐韶甫向21世纪经济报道记者表示:“目前疫情影响扩及全球三大经济体与重要制造业地区,故在市场供需方面造成很大的影响。需求市场受疫情影响
【TechWeb】3月20日消息,据国外媒体报道,相关机构公布的数据显示,北美半导体设备制造商2月份的销售额同比大增,接近24亿美元。披露北美半导体设备制造商2月份销售额的,是国际半导体产业协会,他们的数据显示,北美半导体设备制造商2月份的销售额为23.7亿美元。2月份北美半导体设备制造商的销售额,
在2018年刚上任紫光展锐CEO不久,楚庆就押了两次注。进入5G时代,基带芯片的玩家越来越少,连老牌半导体巨头英特尔都出售了相关业务退出竞争。而即使是处在产业链偏下游的公司,也需要从过去可以不太懂上游变得要逐渐了解,才能实现产业间更好地协同配合。
附件:美国ITC正式对涉华半导体器件、产品及其组件(II)启动337调查
附件:美国ITC正式对涉华半导体器件、产品及其组件(I)启动337调查
附件:关于印发长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策的通知 相关文档:解读《长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》
2019年8月26日,美国Globalfoundries公司依据《美国1930年关税法》第337节规定,向美国国际贸易委员会(ITC)提出两起337调查申请,指控对美出口、在美进口和在美销售的半导体设备及其下游产品(CertainSemiconductorDevices,ProductsContai
智通财经APP获悉,4月3日,小米集团组织部发布组织架构调整邮件,披露为了配合公司AIoT战略加速落地,推动芯片研发业务更快发展,小米旗下的全资子公司松果电子团队进行重组。部分团队分拆组建新公司南京大鱼半导体。经此调整后,小米持有南京大鱼半导体25%股权,团队集体持股75%。南京大鱼半导体将专注于半
来源:格隆汇格隆汇4月2日丨三安光电(600703.SH)发布公告,公司全资子公司泉州三安半导体科技有限公司(以下简称“三安半导体”)收到泉州半导体高新技术产业园区南安分园区重大项目建设指挥部《关于拨付泉州三安半导体科技有限公司2019年科技研发专项补助的通知》[泉芯南指(2019)1号],为抢抓国
本书根据半导体技术的发展趋势,主要介绍了常用的半导体微系统制造工艺,并加入了部分超大规模集成电路工艺。本书在半导体微系统制造工艺的基础上主要介绍了MEMS及微系统常用材料、硅的各向同性腐蚀、阳极腐蚀、硅的各向异性腐蚀、电钝化腐蚀、自停止腐蚀技术、非晶薄膜的腐蚀与表面微加工、静电键合技术、硅热键合技术
本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技
本书从半导体基础开始,介绍了目前电信和计算产业中半导体器件的发展现状,在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法,阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。本书首先讨论了半导体的基本特性;接着介绍了基本的场效应器件MODF